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術？

這還要從光刻機工藝提升的兩個方向說起。

所謂的製程工藝，究竟指的是什麼呢？製程，實際上就是單晶矽晶圓上面的線寬。構成積體電路的基礎，是單晶矽圓片上透過光刻腐蝕出來的線條。這些線條的粗細，也就決定了同一塊晶片能夠整合多少電晶體，能夠達到什麼樣的效能。

而光刻機上決定線寬的因素，主要是光源和鏡片這兩種。光刻機生產晶片，其本質上和照相機並無太大區別。光線照射景物然後反射到照相機的鏡頭上，最後在膠片上形成影像。這個影像不就是比實物要小的多的多了嗎？

同樣，光刻機在單晶矽圓片上留下來的線條，可也不是一筆一筆刻上去的。而是透過對光學掩膜版進行曝光，然後讓這些設計好的邏輯電路影像透過一組組鏡頭。最終得到比掩膜版要小得多的影象。這樣對光敏感的光刻膠，就會被有選擇的光照所去除。這些沒有光刻膠覆蓋的晶圓部分。就會在接下來的工藝中成為電晶體的結構基礎。

不斷的追求鏡片加工極限，就是光刻機提高工藝水平的主流選擇。這也是為什麼全世界只有三家光刻機生產商。而最為著名的就是日本尼康和荷蘭阿斯麥（as。ml）。尼康本身就是日本戰前做潛艇潛望鏡的廠家，後來則是相機業的霸主。而阿斯麥的鏡頭則來自於卡爾蔡司，這家公司幹嘛的就不用說了，地球人都知道。光刻機離開了這兩家光學企業，什麼摩爾定律都得去見鬼。

當然，這並不是說就沒有其他辦法來提高工藝條件了。除了鏡頭，實際上使用何種光源也會導致線寬的不同。不同波長的光波，就如不同規格的刻刀。波長越短的光波，就能夠在光刻膠上留下越細的痕跡。最早的光刻機因為加工精度不高。使用的汞燈只能提供365nm的i線光。後來更換了準分子鐳射之後，光波才降低到了193nm的鐳射。

未來想要縮小刻蝕的解析度，甚至還要繼續上14nm的極紫外光。至於10奈米以