第127章 E＋級通用晶片(第1/2 頁)

【離子電漿槍·d】

簡介：採用等離子電漿團作為爆炸輸出的微型槍械，輕巧便攜，火力尚可，可以當做防身武器。

“火力尚可！”

看到離子電漿槍的簡介，林鳴有些驚歎。

離子電漿槍的威力他已經見識過，威力比150火箭彈大上數倍。

即便如此，依舊被判定為“威力尚可”。

“負責簡介修訂的傢伙，有點過於嚴苛了！”

林鳴看著兩把離子電漿槍。

這樣的好東西，還有兩把，肯定要逆向研究一下的。

“逆向研究離子電漿槍！”

【請選擇逆向研究所用的晶片。】

“E級通用晶片。”

【根據當前晶片所提供的算力，預估逆向研究時長10年，每小時消耗1單位電能，是否開始逆向研究？】

“否！”

“需要10年！”

看到研究所需的時長，林鳴並不意外。

畢竟E級通用晶片的科技評定等級比離子電漿槍低了一個大等級，消耗如此多的時間也算正常。

“d級碳基生物計算機的研究應該好了吧？”

林鳴開啟研究佇列。

果然，經過1個小時的研究，d級碳基生物計算機已經有了初步的成果。

【E+級通用晶片】

簡介：最佳化了運算架構，增加了運算核心的通用晶片，相較於E級通用晶片，電晶體規模增加兩倍，能耗翻一倍，對散熱系統有額外的需求。

“電晶體規模增加了？”

林鳴看著E+級通用晶片的示意圖。

相較於E級通用晶片，E+級通用晶片的核心面積擴大了一圈。

一個顯而易見的道理，工藝和架構不變的情況下，電晶體數量增加了，運算能力肯定會增加。

但在原來的藍星，很少有廠家會這麼做。

畢竟原先的晶片都是在一塊晶圓上批次製造的，核心面積越大，可能產生的缺陷便越多。

如此一來，晶片的良率就會減少，製造成本會增加許多。

廠家想了很多的辦法，比如遮蔽部分有缺陷的核心，分為3，5，7，9系列，分等級來賣，以減少損失。

他們更願意升級晶片的製程或者架構，而不是增加核心面積。

當然，在製程和架構達到瓶頸的時候，增加核心面積便是不得不做的事情了。

E+級通用晶片便是如此。

好在林鳴是用3d金屬印表機來製造通用晶片，無需考慮良率的問題。

“3d金屬印表機-II型，切換生產計劃，全面生產E+級通用晶片！”

林鳴下達了製造命令。

十分鐘以後，一塊E+級通用晶片被製造了出來。

經過測試，林鳴發現，E+級通用晶片的運算能力翻了十倍，每小時消耗的電能變成了2單位。

由於巨大的發熱，E+級通用晶片需要在工作的時候進行持續的冷卻，否則會有燒壞的風險。

“風冷是不合適了，直接上水冷吧！”

林鳴讓d級碳基生物計算機開始設計水冷管路。

由於隕石坑內動輒七八十度的地表溫度，因此只增加水冷系統是沒有用的。

林鳴又讓移動式微型工廠構造體制造了一個玻璃車間，專門用來存放E+級通用晶片，成為一個計算樞紐。

在這個機房中，由生命維持系統進行溫度調節，將溫度儘可能降低到0度上下。

如此一來，水冷散熱系統便可以發揮最大的功效，避免E+級通用晶片燒壞。

“嘖，每小時耗電20單位！”

看到計算樞紐維持溫度所需要的電能消耗，林鳴口中嘖嘖。

這還是E+級通用晶片沒有開始工作的情況下。

到時候E+級通用晶片數量多了起來，同時工作產生的廢熱，很可能會導致散熱所需的電耗翻上幾十倍！

“還好現在一號車間正在批次生產太陽能電池板，這點能耗還支撐地起！”

既然E+級通用晶片已經開始製造，林鳴下達了命令：“用E+級通用晶片逆向研究離子電漿槍！”

以太晶石這回提示，逆向研究所需的時間減少到了1年。

“只要3d金屬印表機持續製造E+級通用晶片加入逆向研究佇列，逆向研究應該會在兩天內完成