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半導體器材的基本速度極限，取決於半導體器材內電子的移動速度。因此，問題可以歸結為找出積體半導體中電子的移動速度。我們可以利用薛丁格波動方程式（Schrodinger w*e equation）找出問題的答案。這是對兩位年輕科學家的一大挑戰，他們花了兩年時間，終於得出砷化鎵器件（GaAs）一類的典型半導體中晶體原子結構的電子移動形態。結論指出，抵達目標位置的遊離電子只是總電子量的一小部分，受物料結構衝散的電子會困囿於能帶禁隙（forbidden energy bands），然後漏出，導致電子的脈衝擴闊而非緊密聯絡。進一步的理論分析顯示，半導體材料中的脈衝傳播不大可能短於每秒10E…11，因此非量子半導體器材的脈衝重複速率將低於1兆兆位元（terabit/s）。
Chapter08 開拓新領域（3）
與此同時，我組成了一支成員來自十家不同大學和研究機構的隊伍。這樣，我只需資助相關範疇但各具不同專長的頂尖專家，讓他們互相刺激、啟發，相輔相成，並因此而節省不少經費，因為這些專家在其各自的專業裡已在研究上花了不少金錢。我給每組專家二十萬美元的資助，這隻相等於ITT支付一名認可工程師的年薪。我相信，這些專家做出的成果，遠超乎我們付出的金錢。比方說，我們有一組人由兩位世界知名的麻省理工學院的教授領導，他們實驗室裡的裝置，可以進行
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